Transistor IRFD110PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.42fr	0.45fr
5 - 9	0.40fr	0.43fr
10 - 24	0.38fr	0.41fr
25 - 49	0.36fr	0.39fr
50 - 99	0.35fr	0.38fr
100 - 249	0.34fr	0.37fr
250 - 358	0.42fr	0.45fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.42fr	0.45fr
5 - 9	0.40fr	0.43fr
10 - 24	0.38fr	0.41fr
25 - 49	0.36fr	0.39fr
50 - 99	0.35fr	0.38fr
100 - 249	0.34fr	0.37fr
250 - 358	0.42fr	0.45fr

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Transistor IRFD110PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD110PBF. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Boîtier (norme JEDEC): DIP-4. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.

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