Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.27fr | 1.37fr |
5 - 9 | 1.21fr | 1.31fr |
10 - 24 | 1.14fr | 1.23fr |
25 - 49 | 0.82fr | 0.89fr |
50 - 99 | 0.80fr | 0.86fr |
100 - 249 | 0.78fr | 0.84fr |
250 - 518 | 0.74fr | 0.80fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.27fr | 1.37fr |
5 - 9 | 1.21fr | 1.31fr |
10 - 24 | 1.14fr | 1.23fr |
25 - 49 | 0.82fr | 0.89fr |
50 - 99 | 0.80fr | 0.86fr |
100 - 249 | 0.78fr | 0.84fr |
250 - 518 | 0.74fr | 0.80fr |
Transistor IRFD9120PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD9120PBF. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 390pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 19:25.
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