Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.83fr | 0.90fr |
5 - 9 | 0.79fr | 0.85fr |
10 - 24 | 0.74fr | 0.80fr |
25 - 49 | 0.70fr | 0.76fr |
50 - 99 | 0.69fr | 0.75fr |
100 - 158 | 0.54fr | 0.58fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.83fr | 0.90fr |
5 - 9 | 0.79fr | 0.85fr |
10 - 24 | 0.74fr | 0.80fr |
25 - 49 | 0.70fr | 0.76fr |
50 - 99 | 0.69fr | 0.75fr |
100 - 158 | 0.54fr | 0.58fr |
Transistor IRFL110PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FL110. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 17:25.
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