FR
DE IT
Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
0
Catégories de produits :
Audio
>
315
Automatisme
>
19
Câbles
>
1775
Coffrets et boîtiers
>
1218
Composants passifs
>
14492
Connecteurs
>
5695
Dépannage
>
2247
Electronique de loisirs
>
542
Energie
>
1354
Informatique
>
58
Interrupteurs
>
976
Optoélectronique
>
2024
Outillage
>
1404
Pièces mécaniques
>
444
Protection électrique
>
1160
Refroidissement
>
764
Relais
>
874
Semi-conducteurs
>
14645
Transformateurs
>
568
Semi-conducteurs Transistors

Transistor IRFP460APBF

Transistor IRFP460APBF
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Quantité HT TTC
1 - 1 4.45fr 4.81fr
2 - 2 4.23fr 4.57fr
3 - 4 4.01fr 4.33fr
5 - 9 3.78fr 4.09fr
10 - 19 3.69fr 3.99fr
20 - 29 3.60fr 3.89fr
30 - 175 3.47fr 3.75fr
Quantité U.P
1 - 1 4.45fr 4.81fr
2 - 2 4.23fr 4.57fr
3 - 4 4.01fr 4.33fr
5 - 9 3.78fr 4.09fr
10 - 19 3.69fr 3.99fr
20 - 29 3.60fr 3.89fr
30 - 175 3.47fr 3.75fr
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Quantité en stock : 175
Lot de 1

Transistor IRFP460APBF. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. C (in): 3100pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 12:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

En rupture de stock
2SK1170

2SK1170

Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quanti...
2SK1170
Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protection G-S: oui
2SK1170
Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protection G-S: oui
Lot de 1
10.95fr TTC
(10.13fr HT)
10.95fr

Renseignements et aide technique

Par téléphone :
Par email
Conditions générales de vente

Paiement et livraison

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

S'abonner à la newsletter

J'accepte de recevoir des emails, et je comprends que je peux me désabonner à tout moment après inscription.

Tous droits réservés, RPtronics, 2024.