Transistor IRFR1205

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.97fr	1.05fr
5 - 9	0.93fr	1.01fr
10 - 24	0.88fr	0.95fr
25 - 49	0.83fr	0.90fr
50 - 99	0.81fr	0.88fr
100 - 102	0.79fr	0.85fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.97fr	1.05fr
5 - 9	0.93fr	1.01fr
10 - 24	0.88fr	0.95fr
25 - 49	0.83fr	0.90fr
50 - 99	0.81fr	0.88fr
100 - 102	0.79fr	0.85fr

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Lot de 1

Transistor IRFR1205. Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 410pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 65 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. Id (T=100°C): 31A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 107W. Résistance passante Rds On: 0.027 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 47 ns. Td(on): 7.3 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+155°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 10:25.

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