Transistor IRFR120NPBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.11fr	1.20fr
5 - 9	1.05fr	1.14fr
10 - 24	0.99fr	1.07fr
25 - 49	0.94fr	1.02fr
50 - 99	0.92fr	0.99fr
100 - 249	0.90fr	0.97fr
250 - 864	0.85fr	0.92fr

Quantité	U.P
1 - 4	1.11fr	1.20fr
5 - 9	1.05fr	1.14fr
10 - 24	0.99fr	1.07fr
25 - 49	0.94fr	1.02fr
50 - 99	0.92fr	0.99fr
100 - 249	0.90fr	0.97fr
250 - 864	0.85fr	0.92fr

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Transistor IRFR120NPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FR1205N. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 10:25.

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