Transistor IRFR3709Z

Transistor IRFR3709Z. Transistor. C (in): 2330pF. C (out): 460pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 86A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 79W. Résistance passante Rds On: 5.2m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, impédance de grille ultra faible. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 10:25.