Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.95fr | 1.03fr |
5 - 9 | 0.90fr | 0.97fr |
10 - 24 | 0.86fr | 0.93fr |
25 - 49 | 0.81fr | 0.88fr |
50 - 99 | 0.79fr | 0.85fr |
100 - 107 | 0.69fr | 0.75fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.95fr | 1.03fr |
5 - 9 | 0.90fr | 0.97fr |
10 - 24 | 0.86fr | 0.93fr |
25 - 49 | 0.81fr | 0.88fr |
50 - 99 | 0.79fr | 0.85fr |
100 - 107 | 0.69fr | 0.75fr |
Transistor IRFR3910. Transistor. C (in): 640pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 79W. Résistance passante Rds On: 0.115 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 37 ns. Td(on): 6.4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 10:25.
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