Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.06fr | 1.15fr |
5 - 9 | 1.00fr | 1.08fr |
10 - 24 | 0.95fr | 1.03fr |
25 - 49 | 0.90fr | 0.97fr |
50 - 87 | 0.88fr | 0.95fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.06fr | 1.15fr |
5 - 9 | 1.00fr | 1.08fr |
10 - 24 | 0.95fr | 1.03fr |
25 - 49 | 0.90fr | 0.97fr |
50 - 87 | 0.88fr | 0.95fr |
Transistor IRFR9220. Transistor. C (in): 340pF. C (out): 110pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 7.3 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK ( TO-252AA ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 09:25.
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