Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11fr | 1.20fr |
5 - 9 | 1.05fr | 1.14fr |
10 - 24 | 0.99fr | 1.07fr |
25 - 49 | 0.94fr | 1.02fr |
50 - 99 | 0.92fr | 0.99fr |
100 - 249 | 0.90fr | 0.97fr |
250 - 2351 | 0.85fr | 0.92fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11fr | 1.20fr |
5 - 9 | 1.05fr | 1.14fr |
10 - 24 | 0.99fr | 1.07fr |
25 - 49 | 0.94fr | 1.02fr |
50 - 99 | 0.92fr | 0.99fr |
100 - 249 | 0.90fr | 0.97fr |
250 - 2351 | 0.85fr | 0.92fr |
Transistor IRFU024NPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: I-PAK. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFU024NPBF. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 09:25.
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