Transistor IRG4BC20KDPBF

Transistor IRG4BC20KDPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC20KD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 16A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 54 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 180 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Td(off): 180 ns. Td(on): 54 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 ( AB ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.27V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Courant de collecteur maxi (A): 32A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 07:25.