Transistor IRG4BC30FDPBF

Quantité	HT	TTC
1 - 1	5.86fr	6.33fr
2 - 2	5.57fr	6.02fr
3 - 4	5.27fr	5.70fr
5 - 9	4.98fr	5.38fr
10 - 15	4.86fr	5.25fr

Quantité	U.P
1 - 1	5.86fr	6.33fr
2 - 2	5.57fr	6.02fr
3 - 4	5.27fr	5.70fr
5 - 9	4.98fr	5.38fr
10 - 15	4.86fr	5.25fr

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Lot de 1

Transistor IRG4BC30FDPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC30FD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 31A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 42 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 230 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Courant de collecteur maxi (A): 60.4k Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 06:25.

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