Transistor IRG4PH50KD

Quantité	HT	TTC
1 - 1	15.33fr	16.57fr
2 - 2	14.56fr	15.74fr
3 - 4	13.79fr	14.91fr
5 - 9	13.03fr	14.09fr
10 - 12	12.72fr	13.75fr

Quantité	U.P
1 - 1	15.33fr	16.57fr
2 - 2	14.56fr	15.74fr
3 - 4	13.79fr	14.91fr
5 - 9	13.03fr	14.09fr
10 - 12	12.72fr	13.75fr

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Transistor IRG4PH50KD. Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Trr Diode (Min.): 90 ns. Courant de collecteur: 45A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 87 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.77V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1220V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 05:25.

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