Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 8.13fr | 8.79fr |
2 - 2 | 7.72fr | 8.35fr |
3 - 4 | 7.32fr | 7.91fr |
5 - 9 | 6.91fr | 7.47fr |
10 - 19 | 6.75fr | 7.30fr |
20 - 29 | 6.58fr | 7.11fr |
30 - 36 | 6.34fr | 6.85fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.13fr | 8.79fr |
2 - 2 | 7.72fr | 8.35fr |
3 - 4 | 7.32fr | 7.91fr |
5 - 9 | 6.91fr | 7.47fr |
10 - 19 | 6.75fr | 7.30fr |
20 - 29 | 6.58fr | 7.11fr |
30 - 36 | 6.34fr | 6.85fr |
Transistor IRG4PH50U. Transistor. C (out): 160pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Courant de collecteur: 45A. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 24A. Marquage sur le boîtier: IRG4PH50U. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 35 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.56V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). C (in): 3600pF. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 05:25.
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