Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.87fr | 2.02fr |
5 - 9 | 1.78fr | 1.92fr |
10 - 24 | 1.68fr | 1.82fr |
25 - 49 | 1.59fr | 1.72fr |
50 - 99 | 1.55fr | 1.68fr |
100 - 249 | 1.41fr | 1.52fr |
250 - 783 | 1.34fr | 1.45fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.87fr | 2.02fr |
5 - 9 | 1.78fr | 1.92fr |
10 - 24 | 1.68fr | 1.82fr |
25 - 49 | 1.59fr | 1.72fr |
50 - 99 | 1.55fr | 1.68fr |
100 - 249 | 1.41fr | 1.52fr |
250 - 783 | 1.34fr | 1.45fr |
Transistor IRL540NS. Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 60.4k Ohms. Id (T=100°C): 26A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 03:25.
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