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Transistor IRL640

Transistor IRL640
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.71fr 1.85fr
5 - 9 1.63fr 1.76fr
10 - 24 1.54fr 1.66fr
25 - 36 1.46fr 1.58fr
Quantité U.P
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Lot de 1

Transistor IRL640. Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 310 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 01:25.

Produits équivalents :

Quantité en stock : 81
IRL640A

IRL640A

Transistor. Type de canal: N. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Quantité pa...
IRL640A
Transistor. Type de canal: N. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 18A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V
IRL640A
Transistor. Type de canal: N. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 18A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V
Lot de 1
1.17fr TTC
(1.08fr HT)
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