Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 7.95fr | 8.59fr |
2 - 2 | 7.56fr | 8.17fr |
3 - 4 | 7.16fr | 7.74fr |
5 - 9 | 6.76fr | 7.31fr |
10 - 19 | 6.60fr | 7.13fr |
20 - 29 | 6.44fr | 6.96fr |
30 - 68 | 6.20fr | 6.70fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 7.95fr | 8.59fr |
2 - 2 | 7.56fr | 8.17fr |
3 - 4 | 7.16fr | 7.74fr |
5 - 9 | 6.76fr | 7.31fr |
10 - 19 | 6.60fr | 7.13fr |
20 - 29 | 6.44fr | 6.96fr |
30 - 68 | 6.20fr | 6.70fr |
Transistor IRLBA1304P. Transistor. C (in): 7660pF. C (out): 2150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 740A. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 185A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 21 ns. Boîtier: SUPER-220. Boîtier (selon fiche technique): SUPER220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 01:25.
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