Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.37fr | 0.40fr |
5 - 9 | 0.36fr | 0.39fr |
10 - 24 | 0.34fr | 0.37fr |
25 - 49 | 0.32fr | 0.35fr |
50 - 99 | 0.31fr | 0.34fr |
100 - 249 | 0.30fr | 0.32fr |
250 - 5542 | 0.29fr | 0.31fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.37fr | 0.40fr |
5 - 9 | 0.36fr | 0.39fr |
10 - 24 | 0.34fr | 0.37fr |
25 - 49 | 0.32fr | 0.35fr |
50 - 99 | 0.31fr | 0.34fr |
100 - 249 | 0.30fr | 0.32fr |
250 - 5542 | 0.29fr | 0.31fr |
Transistor IRLL014NTRPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: LL014N. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 14 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 230pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 01:25.
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