Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.25fr | 0.27fr |
10 - 24 | 0.24fr | 0.26fr |
25 - 49 | 0.23fr | 0.25fr |
50 - 99 | 0.22fr | 0.24fr |
100 - 249 | 0.20fr | 0.22fr |
250 - 499 | 0.19fr | 0.21fr |
500 - 1358 | 0.18fr | 0.19fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.25fr | 0.27fr |
10 - 24 | 0.24fr | 0.26fr |
25 - 49 | 0.23fr | 0.25fr |
50 - 99 | 0.22fr | 0.24fr |
100 - 249 | 0.20fr | 0.22fr |
250 - 499 | 0.19fr | 0.21fr |
500 - 1358 | 0.18fr | 0.19fr |
Transistor IRLML2502. Transistor. C (in): 740pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 3.4A. Id (T=25°C): 4.2A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 00:25.
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