Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.31fr | 0.34fr |
10 - 24 | 0.30fr | 0.32fr |
25 - 49 | 0.28fr | 0.30fr |
50 - 99 | 0.26fr | 0.28fr |
100 - 249 | 0.26fr | 0.28fr |
250 - 293 | 0.25fr | 0.27fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.31fr | 0.34fr |
10 - 24 | 0.30fr | 0.32fr |
25 - 49 | 0.28fr | 0.30fr |
50 - 99 | 0.26fr | 0.28fr |
100 - 249 | 0.26fr | 0.28fr |
250 - 293 | 0.25fr | 0.27fr |
Transistor IRLML5203. Transistor. C (in): 510pF. C (out): 71pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 2.4A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS H. Marquage sur le boîtier: H. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Résistance passante Rds On: 0.098 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 00:25.
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