Transistor IRLR3110ZPBF

Transistor IRLR3110ZPBF. Transistor. C (in): 3980pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 34-51 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRLR3110ZPbF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 79W. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: ±16. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.