Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.99fr | 1.07fr |
5 - 9 | 0.94fr | 1.02fr |
10 - 24 | 0.89fr | 0.96fr |
25 - 49 | 0.84fr | 0.91fr |
50 - 99 | 0.82fr | 0.89fr |
100 - 219 | 0.74fr | 0.80fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.99fr | 1.07fr |
5 - 9 | 0.94fr | 1.02fr |
10 - 24 | 0.89fr | 0.96fr |
25 - 49 | 0.84fr | 0.91fr |
50 - 99 | 0.82fr | 0.89fr |
100 - 219 | 0.74fr | 0.80fr |
Transistor IRLZ24N. Transistor. C (in): 480pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id (T=100°C): 8.5A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 47W. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.
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