Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 29.55fr | 31.94fr |
2 - 2 | 28.07fr | 30.34fr |
3 - 4 | 26.59fr | 28.74fr |
5 - 9 | 25.12fr | 27.15fr |
10 - 14 | 24.53fr | 26.52fr |
15 - 19 | 23.93fr | 25.87fr |
20 - 33 | 23.05fr | 24.92fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 29.55fr | 31.94fr |
2 - 2 | 28.07fr | 30.34fr |
3 - 4 | 26.59fr | 28.74fr |
5 - 9 | 25.12fr | 27.15fr |
10 - 14 | 24.53fr | 26.52fr |
15 - 19 | 23.93fr | 25.87fr |
20 - 33 | 23.05fr | 24.92fr |
Transistor IXFH13N80. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFH13N80. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 6.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 63 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.
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