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Transistor IXFH26N50Q

Transistor IXFH26N50Q
Quantité HT TTC
1 - 1 21.11fr 22.82fr
2 - 2 20.05fr 21.67fr
3 - 4 18.99fr 20.53fr
5 - 9 17.94fr 19.39fr
10 - 14 17.52fr 18.94fr
15 - 19 17.10fr 18.49fr
20 - 24 16.46fr 17.79fr
Quantité U.P
1 - 1 21.11fr 22.82fr
2 - 2 20.05fr 21.67fr
3 - 4 18.99fr 20.53fr
5 - 9 17.94fr 19.39fr
10 - 14 17.52fr 18.94fr
15 - 19 17.10fr 18.49fr
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Quantité en stock : 24
Lot de 1

Transistor IXFH26N50Q. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFH26N50. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.

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