Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 21.11fr | 22.82fr |
2 - 2 | 20.05fr | 21.67fr |
3 - 4 | 18.99fr | 20.53fr |
5 - 9 | 17.94fr | 19.39fr |
10 - 14 | 17.52fr | 18.94fr |
15 - 19 | 17.10fr | 18.49fr |
20 - 24 | 16.46fr | 17.79fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 21.11fr | 22.82fr |
2 - 2 | 20.05fr | 21.67fr |
3 - 4 | 18.99fr | 20.53fr |
5 - 9 | 17.94fr | 19.39fr |
10 - 14 | 17.52fr | 18.94fr |
15 - 19 | 17.10fr | 18.49fr |
20 - 24 | 16.46fr | 17.79fr |
Transistor IXFH26N50Q. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFH26N50. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.
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