Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 19.44fr | 21.01fr |
2 - 2 | 18.47fr | 19.97fr |
3 - 4 | 17.50fr | 18.92fr |
5 - 9 | 16.53fr | 17.87fr |
10 - 14 | 16.14fr | 17.45fr |
15 - 19 | 15.75fr | 17.03fr |
20+ | 15.17fr | 16.40fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 19.44fr | 21.01fr |
2 - 2 | 18.47fr | 19.97fr |
3 - 4 | 17.50fr | 18.92fr |
5 - 9 | 16.53fr | 17.87fr |
10 - 14 | 16.14fr | 17.45fr |
15 - 19 | 15.75fr | 17.03fr |
20+ | 15.17fr | 16.40fr |
Transistor IXFH32N50. Transistor. C (in): 5700pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 128A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 200uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 360W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.
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