Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 18.10fr | 19.57fr |
2 - 2 | 17.20fr | 18.59fr |
3 - 4 | 16.29fr | 17.61fr |
5 - 9 | 15.39fr | 16.64fr |
10 - 14 | 15.02fr | 16.24fr |
15 - 19 | 14.66fr | 15.85fr |
20 - 66 | 14.12fr | 15.26fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 18.10fr | 19.57fr |
2 - 2 | 17.20fr | 18.59fr |
3 - 4 | 16.29fr | 17.61fr |
5 - 9 | 15.39fr | 16.64fr |
10 - 14 | 15.02fr | 16.24fr |
15 - 19 | 14.66fr | 15.85fr |
20 - 66 | 14.12fr | 15.26fr |
Transistor IXFK44N80P. Transistor. RoHS: oui. C (in): 12pF. C (out): 910pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 1.5mA. Idss (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1200W. Résistance passante Rds On: 0.19 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.