Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 29.55fr | 31.94fr |
2 - 2 | 28.07fr | 30.34fr |
3 - 4 | 26.60fr | 28.75fr |
5 - 9 | 25.12fr | 27.15fr |
10 - 14 | 20.43fr | 22.08fr |
15 - 19 | 19.93fr | 21.54fr |
20 - 25 | 19.20fr | 20.76fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 29.55fr | 31.94fr |
2 - 2 | 28.07fr | 30.34fr |
3 - 4 | 26.60fr | 28.75fr |
5 - 9 | 25.12fr | 27.15fr |
10 - 14 | 20.43fr | 22.08fr |
15 - 19 | 19.93fr | 21.54fr |
20 - 25 | 19.20fr | 20.76fr |
Transistor IXFK64N60P. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFK64N60P. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 28 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 79 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 12000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1040W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.
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