Transistor IXFR200N10P

Transistor IXFR200N10P. Transistor. C (in): 7600pF. C (out): 2900pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Surface arrière isolée électriquement. Id(imp): 400A. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 133A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Remarque: tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.