Transistor IXGH32N60BU1

Quantité	HT	TTC
1 - 1	16.37fr	17.70fr
2 - 2	15.55fr	16.81fr
3 - 4	14.73fr	15.92fr
5 - 9	13.91fr	15.04fr
10 - 14	13.59fr	14.69fr
15 - 19	13.26fr	14.33fr
20 - 23	12.77fr	13.80fr

Quantité	U.P
1 - 1	16.37fr	17.70fr
2 - 2	15.55fr	16.81fr
3 - 4	14.73fr	15.92fr
5 - 9	13.91fr	15.04fr
10 - 14	13.59fr	14.69fr
15 - 19	13.26fr	14.33fr
20 - 23	12.77fr	13.80fr

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Transistor IXGH32N60BU1. Transistor. C (in): 2700pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 120ns. Fonction: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 32A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.

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