Transistor IXGH39N60BD1

Quantité	HT	TTC
1 - 1	20.69fr	22.37fr
2 - 2	19.65fr	21.24fr
3 - 4	18.62fr	20.13fr
5 - 9	17.58fr	19.00fr
10 - 14	17.17fr	18.56fr
15 - 19	16.76fr	18.12fr
20 - 21	16.14fr	17.45fr

Quantité	U.P
1 - 1	20.69fr	22.37fr
2 - 2	19.65fr	21.24fr
3 - 4	18.62fr	20.13fr
5 - 9	17.58fr	19.00fr
10 - 14	17.17fr	18.56fr
15 - 19	16.76fr	18.12fr
20 - 21	16.14fr	17.45fr

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Transistor IXGH39N60BD1. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 39N60BD1. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 76A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Courant de collecteur maxi (A): 152A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.

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