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Transistor IXTP90N055T2

Transistor IXTP90N055T2
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1 - 4 3.55fr 3.84fr
5 - 9 3.37fr 3.64fr
10 - 24 3.19fr 3.45fr
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Transistor IXTP90N055T2. Transistor. C (in): 2770pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 2uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 20:25.

Produits équivalents :

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IXTP90N055T

IXTP90N055T

Transistor. C (in): 2500pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (...
IXTP90N055T
Transistor. C (in): 2500pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 176W. Résistance passante Rds On: 0.066 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchMVTM Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
IXTP90N055T
Transistor. C (in): 2500pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 176W. Résistance passante Rds On: 0.066 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchMVTM Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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