Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.03fr | 2.19fr |
5 - 9 | 1.93fr | 2.09fr |
10 - 19 | 1.83fr | 1.98fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.03fr | 2.19fr |
5 - 9 | 1.93fr | 2.09fr |
10 - 19 | 1.83fr | 1.98fr |
Transistor KTB778. Transistor. C (out): 280pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: Amplificateur audio haute puissance. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Courant de collecteur: 10A. Marquage sur le boîtier: B778. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( H ) IS. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KTD998. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 17:25.
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