Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.03fr | 1.11fr |
5 - 9 | 0.98fr | 1.06fr |
10 - 24 | 1.46fr | 1.58fr |
25 - 46 | 1.68fr | 1.82fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.03fr | 1.11fr |
5 - 9 | 0.98fr | 1.06fr |
10 - 24 | 1.46fr | 1.58fr |
25 - 46 | 1.68fr | 1.82fr |
Transistor MJD45H11G. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J45H11. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 90 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 14:25.
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