Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.09fr | 2.26fr |
5 - 9 | 1.98fr | 2.14fr |
10 - 24 | 1.88fr | 2.03fr |
25 - 49 | 1.77fr | 1.91fr |
50 - 71 | 1.73fr | 1.87fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.09fr | 2.26fr |
5 - 9 | 1.98fr | 2.14fr |
10 - 24 | 1.88fr | 2.03fr |
25 - 49 | 1.77fr | 1.91fr |
50 - 71 | 1.73fr | 1.87fr |
Transistor MJE15035G. Transistor. C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 8A. Remarque: transistor complémentaire (paire) MJE15034G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 14:25.
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