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Transistor MJE200G

Transistor MJE200G
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.50fr 1.62fr
5 - 9 1.43fr 1.55fr
10 - 24 1.35fr 1.46fr
25 - 32 1.28fr 1.38fr
Quantité U.P
1 - 4 1.50fr 1.62fr
5 - 9 1.43fr 1.55fr
10 - 24 1.35fr 1.46fr
25 - 32 1.28fr 1.38fr
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Quantité en stock : 32
Lot de 1

Transistor MJE200G. Transistor. C (out): 80pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65MHz. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 45. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 15W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE210. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 11:25.

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