Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.50fr | 1.62fr |
5 - 9 | 1.43fr | 1.55fr |
10 - 24 | 1.35fr | 1.46fr |
25 - 32 | 1.28fr | 1.38fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.50fr | 1.62fr |
5 - 9 | 1.43fr | 1.55fr |
10 - 24 | 1.35fr | 1.46fr |
25 - 32 | 1.28fr | 1.38fr |
Transistor MJE200G. Transistor. C (out): 80pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65MHz. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 45. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 15W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE210. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 11:25.
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