Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.38fr | 0.41fr |
10 - 24 | 0.36fr | 0.39fr |
25 - 49 | 0.34fr | 0.37fr |
50 - 99 | 0.32fr | 0.35fr |
100 - 249 | 0.15fr | 0.16fr |
250 - 499 | 0.15fr | 0.16fr |
500 - 7131 | 0.14fr | 0.15fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.38fr | 0.41fr |
10 - 24 | 0.36fr | 0.39fr |
25 - 49 | 0.34fr | 0.37fr |
50 - 99 | 0.32fr | 0.35fr |
100 - 249 | 0.15fr | 0.16fr |
250 - 499 | 0.15fr | 0.16fr |
500 - 7131 | 0.14fr | 0.15fr |
Transistor MMBF170. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MMBF170. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 40pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 10:25.
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