Transistor MMBF170LT1G

Quantité	HT	TTC
1 - 9	0.26fr	0.28fr
10 - 24	0.25fr	0.27fr
25 - 49	0.23fr	0.25fr
50 - 99	0.22fr	0.24fr
100 - 249	0.16fr	0.17fr
250 - 499	0.16fr	0.17fr
500 - 8074	0.15fr	0.16fr

Quantité	U.P
1 - 9	0.26fr	0.28fr
10 - 24	0.25fr	0.27fr
25 - 49	0.23fr	0.25fr
50 - 99	0.22fr	0.24fr
100 - 249	0.16fr	0.17fr
250 - 499	0.16fr	0.17fr
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Transistor MMBF170LT1G. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6Z. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 10:25.

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