Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.24fr | 0.26fr |
10 - 24 | 0.23fr | 0.25fr |
25 - 49 | 0.22fr | 0.24fr |
50 - 99 | 0.21fr | 0.23fr |
100 - 249 | 0.19fr | 0.21fr |
250 - 376 | 0.18fr | 0.19fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.24fr | 0.26fr |
10 - 24 | 0.23fr | 0.25fr |
25 - 49 | 0.22fr | 0.24fr |
50 - 99 | 0.21fr | 0.23fr |
100 - 249 | 0.19fr | 0.21fr |
250 - 376 | 0.18fr | 0.19fr |
Transistor MMBF5460. Transistor. C (in): 5pF. Type de canal: P. Type de transistor: JFET. Idss (maxi): 5mA. Idss (min): 1mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 6E. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: J-FET Ampl.. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 4 v. Vgs(th) min.: 6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 06:25.
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