Transistor MMBT2907ALT1G

Quantité (Lot de 10)	HT	TTC
1 - 4	0.49fr	0.53fr
5 - 9	0.47fr	0.51fr
10 - 24	0.44fr	0.48fr
25 - 49	0.42fr	0.45fr
50 - 99	0.40fr	0.43fr
100 - 111	0.37fr	0.40fr

Quantité (Lot de 10)	U.P
1 - 4	0.49fr	0.53fr
5 - 9	0.47fr	0.51fr
10 - 24	0.44fr	0.48fr
25 - 49	0.42fr	0.45fr
50 - 99	0.40fr	0.43fr
100 - 111	0.37fr	0.40fr

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

Quantité en stock : 1110

Lot de 10

Transistor MMBT2907ALT1G. Transistor. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.6A. Ic(puls): 1.2A. Marquage sur le boîtier: 2F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 06:25.

Documentation technique

Renseignements et aide technique

Par téléphone :

Par email

Conditions générales de vente

Paiement et livraison

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!