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Transistor MMBT5401LT1G

Transistor MMBT5401LT1G
Quantité HT TTC
1 - 9 0.18fr 0.19fr
10 - 24 0.17fr 0.18fr
25 - 49 0.16fr 0.17fr
50 - 99 0.15fr 0.16fr
100 - 249 0.0902fr 0.0975fr
250 - 499 0.0846fr 0.0915fr
500 - 3592 0.0790fr 0.0854fr
Quantité U.P
1 - 9 0.18fr 0.19fr
10 - 24 0.17fr 0.18fr
25 - 49 0.16fr 0.17fr
50 - 99 0.15fr 0.16fr
100 - 249 0.0902fr 0.0975fr
250 - 499 0.0846fr 0.0915fr
500 - 3592 0.0790fr 0.0854fr
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Quantité en stock : 3592
Lot de 1

Transistor MMBT5401LT1G. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2L. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 06:25.

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