Transistor MMBT5551LT1G

Quantité	HT	TTC
1 - 9	0.24fr	0.26fr
10 - 24	0.23fr	0.25fr
25 - 49	0.22fr	0.24fr
50 - 99	0.21fr	0.23fr
100 - 249	0.10fr	0.11fr
250 - 499	0.0967fr	0.1045fr
500 - 8825	0.0902fr	0.0975fr

Quantité	U.P
1 - 9	0.24fr	0.26fr
10 - 24	0.23fr	0.25fr
25 - 49	0.22fr	0.24fr
50 - 99	0.21fr	0.23fr
100 - 249	0.10fr	0.11fr
250 - 499	0.0967fr	0.1045fr
500 - 8825	0.0902fr	0.0975fr

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

Quantité en stock : 8825

Lot de 1

Transistor MMBT5551LT1G. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G1. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 06:25.

Documentation technique

Renseignements et aide technique

Par téléphone :

Par email

Conditions générales de vente

Paiement et livraison

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!