Transistor MTP2P50EG

Quantité	HT	TTC
1 - 4	4.26fr	4.61fr
5 - 9	4.05fr	4.38fr
10 - 24	3.83fr	4.14fr
25 - 49	3.62fr	3.91fr
50 - 99	3.54fr	3.83fr
100+	3.32fr	3.59fr

Quantité	U.P
1 - 4	4.26fr	4.61fr
5 - 9	4.05fr	4.38fr
10 - 24	3.83fr	4.14fr
25 - 49	3.62fr	3.91fr
50 - 99	3.54fr	3.83fr
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Transistor MTP2P50EG. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MTP2P50EG. Tension drain-source Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 24 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1183pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 23:25.

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