Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 6.93fr | 7.49fr |
2 - 2 | 6.58fr | 7.11fr |
3 - 4 | 6.23fr | 6.73fr |
5 - 9 | 5.89fr | 6.37fr |
10 - 19 | 5.75fr | 6.22fr |
20 - 29 | 5.61fr | 6.06fr |
30 - 196 | 5.40fr | 5.84fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.93fr | 7.49fr |
2 - 2 | 6.58fr | 7.11fr |
3 - 4 | 6.23fr | 6.73fr |
5 - 9 | 5.89fr | 6.37fr |
10 - 19 | 5.75fr | 6.22fr |
20 - 29 | 5.61fr | 6.06fr |
30 - 196 | 5.40fr | 5.84fr |
Transistor MTP50P03HDLG. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: M50P03HDLG. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 117 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 23:25.
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