Transistor MTW45N10E

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.73fr	4.03fr
5 - 9	3.54fr	3.83fr
10 - 24	3.35fr	3.62fr
25 - 34	3.17fr	3.43fr

Quantité	U.P
1 - 4	3.73fr	4.03fr
5 - 9	3.54fr	3.83fr
10 - 24	3.35fr	3.62fr
25 - 34	3.17fr	3.43fr

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Lot de 1

Transistor MTW45N10E. Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AE. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MTW45N10E. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 23:25.

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