Transistor MTY100N10E

Quantité	HT	TTC
1 - 1	15.32fr	16.56fr
2 - 2	14.56fr	15.74fr
3 - 4	13.79fr	14.91fr
5 - 9	13.02fr	14.07fr
10 - 14	12.72fr	13.75fr
15 - 19	12.41fr	13.42fr
20 - 117	11.95fr	12.92fr

Quantité	U.P
1 - 1	15.32fr	16.56fr
2 - 2	14.56fr	15.74fr
3 - 4	13.79fr	14.91fr
5 - 9	13.02fr	14.07fr
10 - 14	12.72fr	13.75fr
15 - 19	12.41fr	13.42fr
20 - 117	11.95fr	12.92fr

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Transistor MTY100N10E. Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MTY100N10E. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 96 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 372 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 10640pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 23:25.

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