Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.43fr | 0.46fr |
10 - 24 | 0.40fr | 0.43fr |
25 - 49 | 0.38fr | 0.41fr |
50 - 99 | 0.36fr | 0.39fr |
100 - 249 | 0.35fr | 0.38fr |
250 - 499 | 0.34fr | 0.37fr |
500 - 2893 | 0.33fr | 0.36fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.43fr | 0.46fr |
10 - 24 | 0.40fr | 0.43fr |
25 - 49 | 0.38fr | 0.41fr |
50 - 99 | 0.36fr | 0.39fr |
100 - 249 | 0.35fr | 0.38fr |
250 - 499 | 0.34fr | 0.37fr |
500 - 2893 | 0.33fr | 0.36fr |
Transistor MUN2212. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: transistor avec réseau de résistance de polarisation. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 0.1A. Marquage sur le boîtier: 8B. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 338mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistors numériques (BRT). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Nombre de connexions: 3. Remarque: Panasonic NV-SD450. Remarque: B1GBCFLL0035. Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS 8B. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 23:25.
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