Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 2.66fr | 2.88fr |
2 - 2 | 2.53fr | 2.73fr |
3 - 4 | 2.39fr | 2.58fr |
5 - 9 | 2.26fr | 2.44fr |
10 - 19 | 2.21fr | 2.39fr |
20 - 29 | 2.16fr | 2.33fr |
30 - 336 | 2.08fr | 2.25fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 2.66fr | 2.88fr |
2 - 2 | 2.53fr | 2.73fr |
3 - 4 | 2.39fr | 2.58fr |
5 - 9 | 2.26fr | 2.44fr |
10 - 19 | 2.21fr | 2.39fr |
20 - 29 | 2.16fr | 2.33fr |
30 - 336 | 2.08fr | 2.25fr |
Transistor NDP6020P. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDP6020P. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -0.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1590pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 23:25.
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