Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.52fr | 0.56fr |
10 - 24 | 0.49fr | 0.53fr |
25 - 49 | 0.47fr | 0.51fr |
50 - 99 | 0.44fr | 0.48fr |
100 - 249 | 0.36fr | 0.39fr |
250 - 499 | 0.35fr | 0.38fr |
500 - 563 | 0.33fr | 0.36fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.52fr | 0.56fr |
10 - 24 | 0.49fr | 0.53fr |
25 - 49 | 0.47fr | 0.51fr |
50 - 99 | 0.44fr | 0.48fr |
100 - 249 | 0.36fr | 0.39fr |
250 - 499 | 0.35fr | 0.38fr |
500 - 563 | 0.33fr | 0.36fr |
Transistor NDS352AP. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDS352APRL. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 135pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 23:25.
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