Transistor NDT452AP

Transistor NDT452AP. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDT452AP. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 690pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 00:25.