Transistor NDT456P

Transistor NDT456P. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDT456P. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 00:25.